Rentang spektral material InGaAs adalah 900-1700nm, dan noise penggandaannya lebih rendah dibandingkan material germanium. Umumnya digunakan sebagai daerah perkalian untuk dioda heterostruktur. Bahan ini cocok untuk komunikasi serat optik berkecepatan tinggi, dan produk komersial telah mencapai kecepatan 10Gbit/s atau lebih tinggi.