Kristal AgGaSe2 — Tepi Pita Pada 0,73 Dan 18 µm
Deskripsi Produk
Penyetelan dalam jarak 2,5–12 µm telah diperoleh saat memompa dengan laser Ho:YLF pada 2,05 µm; serta operasi pencocokan fase non-kritis (NCPM) dalam rentang 1,9–5,5 µm ketika pemompaan pada 1,4–1,55 µm. AgGaSe2 (AgGaSe) telah terbukti menjadi kristal pengganda frekuensi yang efisien untuk radiasi laser CO2 inframerah.
Dengan bekerja dalam kombinasi dengan osilator parametrik optik yang dipompa secara sinkron (SPOPO) yang dipompa secara sinkron dalam rezim femtosecond dan picosecond, kristal AgGaSe2 telah terbukti efektif dalam penurunan konversi parametrik nonlinier (penghasilan frekuensi perbedaan, DGF) di wilayah Mid-IR. Kristal AgGaSe2 nonlinier IR pertengahan memiliki salah satu angka prestasi terbesar (70 pm2/V2) di antara kristal yang dapat diakses secara komersial, yaitu enam kali lebih banyak daripada kristal AGS yang setara. AgGaSe2 juga lebih disukai daripada kristal IR pertengahan lainnya karena sejumlah alasan tertentu. AgGaSe2, misalnya, memiliki walk-off spasial yang lebih rendah dan kurang siap untuk diolah untuk aplikasi spesifik (misalnya arah pertumbuhan dan pemotongan), meskipun memiliki area nonlinier yang lebih besar dan area transparansi yang setara.
Aplikasi
● Generasi harmonik kedua pada CO dan CO2 - laser
● Osilator parametrik optik
● Generator frekuensi berbeda ke wilayah inframerah tengah hingga 17 mkm.
● Pencampuran frekuensi di wilayah IR tengah
Properti Dasar
| Struktur Kristal | Tetragonal |
| Parameter Sel | a=5,992 Å, c=10,886 Å |
| Titik lebur | 851 °C |
| Kepadatan | 5.700 gram/cm3 |
| Kekerasan Mohs | 3-3.5 |
| Koefisien Penyerapan | <0,05 cm-1 @ 1,064 µm <0,02 cm-1 @ 10,6 µm |
| Konstanta Dielektrik Relatif @ 25MHz | ε11s=10,5 ε11t=12,0 |
| Ekspansi Termal Koefisien | ||C: -8,1 x 10-6 /°C ⊥C: +19,8 x 10-6 /°C |
| Konduktivitas Termal | 1,0 W/M/°C |
