Kristal AgGaSe2 — Tepi Pita pada 0,73 dan 18 µm
Deskripsi Produk
Penyetelan dalam rentang 2,5–12 µm telah diperoleh saat pemompaan dengan laser Ho:YLF pada 2,05 µm; serta operasi pencocokan fase non-kritis (NCPM) dalam rentang 1,9–5,5 µm saat pemompaan pada 1,4–1,55 µm. AgGaSe2 (AgGaSe) telah terbukti menjadi kristal pengganda frekuensi yang efisien untuk radiasi laser CO2 inframerah.
Dengan bekerja dalam kombinasi dengan osilator parametrik optik terpompa sinkron (SPOPO) yang tersedia secara komersial dalam rezim femtodetik dan pikodetik, kristal AgGaSe2 telah terbukti efektif dalam penurunan konversi parametrik nonlinier (pembangkitan frekuensi perbedaan, DGF) di wilayah Mid-IR. Kristal AgGaSe2 nonlinier mid-IR memiliki salah satu angka keunggulan tertinggi (70 pm²/V²) di antara kristal yang tersedia secara komersial, yaitu enam kali lebih besar daripada kristal AGS yang setara. AgGaSe2 juga lebih disukai daripada kristal mid-IR lainnya karena sejumlah alasan spesifik. AgGaSe2, misalnya, memiliki tingkat walk-off spasial yang lebih rendah dan kurang mudah diolah untuk aplikasi spesifik (misalnya, arah pertumbuhan dan pemotongan), meskipun memiliki nonlinieritas dan area transparansi yang setara yang lebih besar.
Aplikasi
● Pembangkitan harmonik kedua pada laser CO dan CO2
● Osilator parametrik optik
● Generator frekuensi berbeda ke daerah inframerah tengah hingga 17 mkm.
● Pencampuran frekuensi di wilayah IR tengah
Properti Dasar
| Struktur Kristal | Tetragonal |
| Parameter Sel | a=5,992 Å, c=10,886 Å |
| Titik lebur | 851 °C |
| Kepadatan | 5.700 gram/cm3 |
| Kekerasan Mohs | 3-3.5 |
| Koefisien Penyerapan | <0,05 cm-1 pada 1,064 µm <0,02 cm-1 pada 10,6 µm |
| Konstanta Dielektrik Relatif @ 25 MHz | ε11s=10,5 ε11t=12,0 |
| Ekspansi Termal Koefisien | ||C: -8,1 x 10-6 /°C ⊥C: +19,8 x 10-6 /°C |
| Konduktivitas Termal | 1,0 W/M/°C |
